DLC膜中含有混合的sp2和sp3鍵，并且是不定形的，其性質(zhì)類似于金剛石薄膜，具有硬度高、摩擦系數(shù)低、耐磨性并兼具良好的化學(xué)穩(wěn)定性、導(dǎo)熱性、電絕緣性、透光性、和生物相容性等，使其在機(jī)械、電子、光學(xué)、聲學(xué)、計算機(jī)、航空航天和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有**的應(yīng)用前景。

雖然DLC膜層具有一定的耐腐蝕性能，但是通常制得的DLC膜層存在一些**狀的微孔，腐蝕性介質(zhì)易通過微孔進(jìn)入基底從而對基底造成腐蝕，使膜層的性能**降低。另外，為了增加DLC膜層與基底的結(jié)合力，在基底表面沉積DLC膜層之前通常要將基底進(jìn)行清洗處理，但是該處理會破壞基底表面的氧化膜，從而降低基底的耐腐蝕性能。

因此，急需一種能夠不影響DLC膜層的優(yōu)異性質(zhì)并且能夠封閉DLC膜層中微孔的方法，以提高DLC膜層的耐腐蝕性能。



技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述技術(shù)現(xiàn)狀，本發(fā)明人經(jīng)過大量實驗探索后發(fā)現(xiàn)，采用等離子體聚合沉積技術(shù)，將氣化的丙烯酸酯類單體通入等離子體聚合反應(yīng)腔內(nèi)，在DLC膜層表面發(fā)生等離子體聚合反應(yīng)，可以在DLC膜層表面沉積出可封孔膜層，從而提高DLC膜層的性能，尤其使其抗腐蝕性能**提高。

即，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種DLC膜層的表面處理方法，采用等離子體聚合沉積技術(shù)，將氣化的丙烯酸酯類單體通入等離子體聚合反應(yīng)腔內(nèi)，在DLC膜層表面發(fā)生等離子體聚合反應(yīng)。

所述的丙烯酸酯類單體的氣化方法為：將丙烯酸酯類單體放入進(jìn)料罐，進(jìn)料罐連通加熱系統(tǒng)，使丙烯酸酯類單體在90℃-150℃下變?yōu)闅鈶B(tài)。

所述的丙烯酸酯類單體**為含氟的丙烯酸酯單體。

作為一種實現(xiàn)方式，所述的等離子體聚合沉積過程為：等離子體聚合反應(yīng)腔內(nèi)放置DLC膜層，首先對腔體進(jìn)行抽真空，然后通入氣化的丙烯酸酯類單體，控制氣體流量，在輝光放電作用下使單體化學(xué)鍵斷裂形成活性基團(tuán)在DLC膜層表面發(fā)生等離子體聚合反應(yīng)。

作為**，真空腔體的基礎(chǔ)氣壓為15-25mTorr，更**為20-25mTorr。

作為**，利用氮氣氣壓將氣態(tài)的單體帶入真空腔體。

作為**，所述的丙烯酸酯類單體流量為5sccm-9sccm，更**為5sccm-7sccm。

作為**，通入單體后真空反應(yīng)腔內(nèi)氣壓調(diào)節(jié)至30mTorr-40mTorr。

所述的功率**為20W-35W，更**為20W-30W。

所述的聚合反應(yīng)時間**為60s-2400s，更**為300s-1200s。

所述的DLC膜層結(jié)構(gòu)不限，包括單層結(jié)構(gòu)與多層結(jié)構(gòu)。所述的DLC膜層材料包括純DLC材料，以及含摻雜元素的DLC材料等。

所述的DLC膜層的制備方法不限，包括磁控濺射技術(shù)等。

所述的DLC膜層一般位于基體表面，基體材料不限，包括不銹鋼等。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

(1)采用等離子體聚合沉積技術(shù)，等離子體聚合沉積技術(shù)是一種工藝簡單、方便快捷、清潔的表面處理方法，是由射頻低氣壓輝光放電，產(chǎn)生的能量約為5eV，會引起分子共價鍵(4eV)的斷裂，利用等離子體中的電子、粒子、自由基以及其他激發(fā)態(tài)分子等活性粒子使單體聚合。

(2)采用丙烯酸酯類單體，將其氣化后由輝光放電產(chǎn)生等離子體，使氣態(tài)單體的化學(xué)鍵斷裂產(chǎn)生活性基團(tuán)，活性基團(tuán)在DLC膜層表面，包括在其中的微孔內(nèi)聚合并沉積形成一層具有耐腐蝕性的微米或者納米級的封孔薄膜，從而彌補(bǔ)DLC膜層的缺陷，提高DLC膜層的耐腐蝕性；

(3)本發(fā)明操作過程簡便、時效性高、能耗小，膜層薄，在不影響DLC膜層原有各種優(yōu)異性能的條件下提高了DLC膜層的耐腐蝕性能，其耐腐蝕性能提高一個數(shù)量級。